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細間距四探針測量二維材料的電晶體特性
二維電晶體特性表徵
微型四探針測試系統
目的：不需製造器件, 快速測量二維材料的電晶體特性
Xallent 的 10 µm 間距四探針接觸薄膜, 測量I/V 特性, Kelvin電阻, 薄層電阻和場效電晶體 (FET) 特性, 完全繞過傳統的樣品製備過程。
二維電晶體特性表徵(2D Transistor Characterization)
微型四探針測試系統
目的：不需製造器件, 快速測量二維材料的電晶體特性
Xallent 的 10 µm 間距四探針接觸薄膜,
測量I/V 特性, Kelvin電阻, 薄層電阻和場效電晶體 (FET) 特性, 完全繞過傳統的樣品製備過程。
微型四探針表徵系統的優點：
■ 省去光刻, 蝕刻, 金屬沉積等繁瑣又昂貴的樣品製備步驟
■ 大幅節省測試時間
■ 降低研發成本的同時, 大幅縮短新型先進材料與器件的上市時間
結合 Xallent SAKYIWA NanoProber,
四探針可以對薄片,無圖案和圖案化晶圓進行微米和奈米級的快速電學測試
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