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细间距四探针测量二维材料的晶体管特性
二维晶体管特性表征(2D Transistor Characterization)
微型四探针测试系统
目的：不需制造器件, 快速测量二维材料的晶体管特性
Xallent 的 10 µm 间距四探针接触薄膜, 测量I/V 特性, Kelvin电阻, 薄层电阻和场效晶体管 (FET) 特性, 完全绕过传统的样品制备过程。
二维晶体管特性表征(2D Transistor Characterization)
微型四探针测试系统
目的：不需制造器件, 快速测量二维材料的晶体管特性
Xallent 的 10 µm 间距四探针接触薄膜,
测量I/V 特性, Kelvin电阻, 薄层电阻和场效晶体管 (FET) 特性, 完全绕过传统的样品制备过程
微型四探针表征系统的优点：
■ 省去光刻, 蚀刻, 金属沉积等繁琐又昂贵的样品制备步骤
■ 大幅节省测试时间
■ 降低研发成本的同时, 大幅缩短新型先进材料与器件的上市时间
结合 Xallent SAKYIWA NanoProber,
四探针可以对薄片,无图案和图案化晶圆进行微米和奈米级的快速电学测试
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